沉淀的純度與影響因素：

影響沉淀純度的原因主要有兩個(gè)：共沉淀和后沉淀。

1.共沉淀：當(dāng)一種沉淀從溶液中析出時(shí)，溶液中某些本來(lái)可溶的雜質(zhì)也同時(shí)沉淀下來(lái)的現(xiàn)象。

（1）表面吸附：由于沉淀表面吸附所引起的雜質(zhì)共沉淀的現(xiàn)象。

表面吸附是有選擇性的，選擇吸附的規(guī)律是：

第一吸附層：先吸附過量的構(gòu)晶離子醫(yī)學(xué)教育|網(wǎng)編輯整理，再吸附與構(gòu)晶離子大小接近、電荷相同的離子，濃度較高的離子被優(yōu)先吸附。

第二吸附層：優(yōu)先吸附與構(gòu)晶離子形成的鹽溶解度小的離子。離子價(jià)數(shù)高、濃度大的離子，優(yōu)先被吸附。

減小方法：制備大顆粒沉淀或晶形沉淀，適當(dāng)提高溶液溫度，洗滌沉淀。

（2）形成混晶：沉淀過程中雜質(zhì)離子占據(jù)沉淀中某些晶格位置而進(jìn)入沉淀內(nèi)部形成混合晶體。

減小方法：將雜質(zhì)事先分離除去醫(yī)學(xué)教育|網(wǎng)編輯整理，或加入絡(luò)合劑或改變沉淀劑。

（3）包藏或吸留：沉淀速度過快，表面吸附的雜質(zhì)來(lái)不及離開沉淀表面就被隨后沉積下來(lái)的沉淀所覆蓋，包埋在沉淀內(nèi)部。

減小方法：改變沉淀?xiàng)l件，重結(jié)晶或陳化。

2.后沉淀：溶液中某些本來(lái)可溶的雜質(zhì)在沉淀放置一端時(shí)間后沉淀到原沉淀表面的現(xiàn)象減小方法：縮短沉淀與母液的共置時(shí)間，或沉淀生成后，及時(shí)過濾。